筆直構造的ZnO紫外光電導探測器的制備辦法

時間:2016-01-15 作者:/

要求(專利)號:CN200710019126.3要求日:2007.11.20
揭露(布告)號:CN101202315揭露(布告)日:2008.06.18
主分類號:H01L31/18(2006.01)I領域分類:
分類號:H01L31/18(2006.01)I
要求(專利權)人:西安交通大學
唐朝tv在线视频:710049陝西省西安市鹹甯路28號
國省代碼:陝西;61
創造(規劃)人:張景文;畢臻;邊旭明;侯洵;王東
專利署理組織:西安通大專利署理有限責任公司
署理人:李鄭建
★ 摘要
   本創造揭露了一種制備高性能筆直構造的ZnO紫外光電導探測器的辦法。該辦法利用在藍寶石或石英襯底上順次堆積ITO薄膜和ZnO薄膜;再對薄膜在氧氛圍中對ZnO薄膜進行400℃熱處理,改進了ZnO薄膜的光電呼應特性;然後將ZnO薄膜層腐蝕後顯露ITO薄膜構成ZnO台面;最終在ZnO台面上堆積金屬Al作爲歐姆觸摸電極,以此獲得了筆直構造的ZnO紫外光電導探測器。全部制備進程簡略,本錢低價,易于控制,有利于光電集成,且簡單産業化,有很高的實用價值。
★ 主權項
   一種筆直構造ZnO紫外光電導探測器的制備辦法,其特征在于,該辦法包含下列過程:
1. 將襯底依照慣例技術清潔並烘幹,以去掉外表吸附的雜質和水蒸汽,再將其放入真空系統中,使之平行于ITO或ZnO陶瓷靶材放置,間隔約爲7cm擺布;
2. 預抽真空到10-4Pa,緩慢通入氧氣和氩氣,一起調理的氧氣和氩氣流量比到約1∶2擺布,把兩者的混合氣體通入真空室,再使真空室氣壓堅持爲1Pa~1.5Pa;
3. 翻開射頻源,調理射頻功率爲100W~200W,順次開端成長ITO薄膜和ZnO薄膜,其間,ITO薄膜的厚度爲150nm-200nm,ZnO薄膜的厚度爲600nm;
4. 然後,將樣品水平放置在石英爐內,系統抽真空後,再通入高純O2,並緩慢升溫至400℃堅持一個小時,進行後退火處理;
5. 對後退火處理的樣品用濃度約爲20%的NH4Cl溶液進行腐蝕,直至顯露ITO薄膜,構成ZnO台面;
6. 最終在ZnO台面上外表堆積厚度爲200nm的金屬Al作爲歐姆觸摸電極,然後得到筆直構造的ZnO紫外光電導探測器。
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